类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 性别 | 附加功能 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 触点样式 | 配置 | 通道数量 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 产品类别 | 晶体管类型 | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 最大rds | 产品 | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTM10DSKM09T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | 139 | Bulk | APTM10 | 139A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) | 390W | 10mOhm @ 69.5A, 10V | 4V @ 2.5mA | 9875pF @ 25V | 350nC @ 10V | 100V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM10TAM19FPG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6-P | Metal | 微芯片技术 | 70 | Bulk | APTM10 | 70A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 208 | 208W | 21mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 1mA | 5100pF @ 25V | 200nC @ 10V | 100V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM10HM19FT3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | - 30 V, + 30 V | 5.123896 oz | - 40 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | 微芯片技术 | POWER MOS V | 19 mOhms | 95 ns | 70 A | Non-Compliant | 70 | Bulk | APTM10 | 70A | 活跃 | 100 V | 35 ns | 2 V | 208 W | N-Channel | + 150 C | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 全桥 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 1 Channel | 208W | 21mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 1mA | 5100pF @ 25V | 200nC @ 10V | 70 ns | 100V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | 功率MOSFET模块 | Discrete Semiconductor Modules | 11.5 mm | 73.4 mm | 40.8 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTC80A10SCTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 微芯片技术 | Non-Compliant | 42 | Bulk | APTC80 | 42A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Female | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | Pin | 2 N-Channel (Half Bridge) | 416W | 100mOhm @ 21A, 10V | 3.9V @ 3mA | 6761pF @ 25V | 273nC @ 10V | 800V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTC60DHM24T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 3 | SP3 | 微芯片技术 | Compliant | 100 ns | 95 | Tray | APTC60 | 95A | 活跃 | 2 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | CoolMOS™ | 125 °C | -40 °C | Discrete Semiconductor Modules | 462 W | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 462 | 21 ns | 462W | 24mOhm @ 47.5A, 10V | 3.9V @ 5mA | 14400pF @ 25V | 300nC @ 10V | 30 ns | 600V | 95 A | 20 V | 14.4 nF | Dual N | 超级交界处 | 24 mΩ | Discrete Semiconductor Modules | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP2101UCP9-7 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 9-XFBGA, DSBGA | X2-DSN1515-9 (Type B) | Diodes Incorporated | Bulk | DMP2101 | 2.5A (Ta) | 活跃 | 3000 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | -55°C ~ 150°C (TJ) | Reel | - | MOSFETs | MOSFET (Metal Oxide) | 2 P-Channel (Dual) | 970mW (Ta) | 100mOhm @ 1A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 392pF @ 10V | 3.2nC @ 4.5V | 20V | MOSFET | Standard | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AOCA24106C | Alpha and Omega | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-SMD, No Lead | 6-AlphaDFN (1.9x1.6) | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Tape & Reel (TR) | AOCA24106 | 20A (Ta) | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2.7W (Ta) | 5.6mOhm @ 4A, 4.5V | 1.1V @ 250µA | - | 16nC @ 4.5V | 12V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTC60AM45BC1G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 1 | SP1 | 微芯片技术 | Compliant | 100 ns | 49 | Bulk | APTC60 | 49A | 活跃 | 3 | -40°C ~ 150°C (TJ) | CoolMOS™ | 150 °C | -40 °C | Discrete Semiconductor Modules | 250 W | MOSFET (Metal Oxide) | 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) | 250 W | 21 ns | 250W | 45mOhm @ 24.5A, 10V | 3.9V @ 3mA | 7200pF @ 25V | 150nC @ 10V | 30 ns | 600V | 49 A | 20 V | 7.2 nF | Dual N | - | 45 mΩ | Discrete Semiconductor Modules | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTM50HM75SCTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | NO | SP4 | 14 | SILICON | 微芯片技术 | 5.22 | 46 A | 46 | Bulk | APTM50 | 46A | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 未说明 | 150 °C | 有 | APTM50HM75SCTG | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 4 | 活跃 | MICROSEMI CORP | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | Discrete Semiconductor Modules | Silicon Carbide (SiC) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 14 | R-XUFM-X14 | 不合格 | 4 N-Channel (Half Bridge) | 增强型MOSFET | 357 | ISOLATED | 357W | SWITCHING | 90mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 2.5mA | 5590pF @ 25V | 123nC @ 10V | 500V | N-CHANNEL | 0.09 Ω | 184 A | 500 V | Dual N | 2500 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXH010P120MNF1PTNG | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | - | onsemi | + 150 C | - 15 V, + 25 V | - 40 C | 28 | 压装 | onsemi | onsemi | N | 活跃 | 114A (Tc) | 114 | 1200 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Half Bridge Module | Discrete Semiconductor Modules | SiC | 250 | 250W (Tj) | 2 N-Channel (Dual) | 14mOhm @ 100A, 20V | 4.3V @ 40mA | 4707pF @ 800V | 454nC @ 20V | 1200V (1.2kV) | Discrete Semiconductor Modules | Silicon Carbide (SiC) | 功率MOSFET模块 | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SIX3134KA-TP | Micro Commercial Co | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563 | Micro Commercial Co | 活跃 | 750mA | SIX3134 | 0.000106 oz | 3000 | Micro Commercial Components (MCC) | Micro Commercial Components (MCC) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 切割胶带 | - | 180mW | 2 N-Channel (Dual) | 300mOhm @ 500mA, 4.5V | 950mV @ 250μA | 33pF @ 16V | 0.8nC @ 4.5V | 20V | Standard | MCC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MSCSM120HM31TBL2NG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | - | 微芯片技术 | Details | 50 ns | 79 A | Bulk | 活跃 | 79A | 1200 V | 30 ns | 1.8 V | 310 W | N-Channel | + 175 C | - 10 V, 23 V | - 55 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | 微芯片技术 | 31 mOhms | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | Full Bridge SiC MOSFET Power Module | Discrete Semiconductor Modules | SiC | 全桥 | 310W | 4 N-Channel (Full Bridge) | 31mOhm @ 40A, 20V | 2.8V @ 3mA | 3020pF @ 1000V | 232nC @ 20V | 30 ns | 1200V (1.2kV) | Discrete Semiconductor Modules | Silicon Carbide (SiC) | 功率MOSFET模块 | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MSCSM120AM042D3AG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | - | 微芯片技术 | Details | 166 ns | 495 A | Bulk | 活跃 | 495A (Tc) | 1200 V | 66 ns | 1.8 V | 2.031 kW | N-Channel | + 175 C | - 10 V, 23 V | - 40 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | 微芯片技术 | 5.2 mOhms | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | Phase Leg SiC Power Module | Discrete Semiconductor Modules | SiC | Dual | 2.031kW (Tc) | 2 N Channel (Phase Leg) | 5.2mOhm @ 240A, 20V | 2.8V @ 18mA | 18100pF @ 1000V | 1392nC @ 20V | 74 ns | 1200V (1.2kV) | Discrete Semiconductor Modules | Silicon Carbide (SiC) | 功率MOSFET模块 | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6N813R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | 75 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-SMD, Flat Leads | 6-TSOP-F | 东芝半导体与存储 | Toshiba | Toshiba | 3.6 nC | 112 mOhms | Details | 670 ns | 3.5 A | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3.5A (Ta) | 100 V | 360 ns | 2.5 V | AEC-Q101 | 2.5 W | N-Channel | + 175 C | - 20 V, + 20 V | 3000 | SMD/SMT | Enhancement | 175°C | MouseReel | Automotive, AEC-Q101 | MOSFETs | Si | Dual | 2 Channel | 1.5W (Ta) | 2 N-Channel (Dual) | 112mOhm @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 100μA | 242pF @ 15V | 3.6nC @ 4.5V | 100V | MOSFET | 1 N-Channel MOSFET | Standard | MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6L820R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-SMD, Flat Leads | 6-TSOP-F | 东芝半导体与存储 | Toshiba | Toshiba | 3.2 nC, 6.7 nC | 39.1 mOhms, 45 mOhms | Details | 17 ns, 54 ns | 4 A | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 4A (Ta) | 20 V, 30 V | 21 ns, 26 ns | 1.2 V, 1 V | AEC-Q101 | 1.8 W | N-Channel, P-Channel | + 150 C | - 8 V, - 12 V, + 6 V, + 12 V | 3000 | SMD/SMT | Enhancement | 150°C | MouseReel | Automotive, AEC-Q101 | MOSFETs | Si | Dual | 2 Channel | 1.4W (Ta) | N and P-Channel | 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V | 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA | 310pF @ 15V, 480pF @ 10V | 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @ 4.5V | 30V, 20V | MOSFET | Standard | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPNTJD4105CT1G | TECH PUBLIC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPM4105EC6 | TECH PUBLIC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP21D0UFB4-P | TECH PUBLIC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJAC100SN08U | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
WSP4407A | Winsok Semicon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
WST2307 | Winsok Semicon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
WST2333B | Winsok Semicon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
WSTBSS138 | Winsok Semicon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
WST3404A | Winsok Semicon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
WSF09N20G | Winsok Semicon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 |
APTM10DSKM09T3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM10TAM19FPG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM10HM19FT3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTC80A10SCTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTC60DHM24T3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMP2101UCP9-7
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AOCA24106C
Alpha and Omega
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTC60AM45BC1G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
APTM50HM75SCTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PTNG
onsemi
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SIX3134KA-TP
Micro Commercial Co
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MSCSM120HM31TBL2NG
Microchip Technology
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MSCSM120AM042D3AG
Microchip Technology
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SSM6N813R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2.550094
SSM6L820R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
TPNTJD4105CT1G
TECH PUBLIC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
TPM4105EC6
TECH PUBLIC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMP21D0UFB4-P
TECH PUBLIC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
CJAC100SN08U
Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
WSP4407A
Winsok Semicon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
WST2307
Winsok Semicon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
WST2333B
Winsok Semicon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
WSTBSS138
Winsok Semicon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
WST3404A
Winsok Semicon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
WSF09N20G
Winsok Semicon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
